一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用

	一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用
	王毅; 张盾
	2012-06-20
专利权人	中国科学院海洋研究所.
公开日期	2012-06-20
专利类型	发明
摘要	本发明涉及抗菌技术，具体的说是一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用。所述水滑石材料化学组成通式为[M2+1-xM3+x(OH)2]x+(C16H17N2O4S-)x·nH2O，M2+为Mg2+、Zn2+、Ni2+、Fe2+或Mn2+的二价金属离子；M3+为Al3+、Cr3+、Fe3+、V3+、Co3+、Ga3+或Ti3+的三价金属离子；M2+/M3+的摩尔比为1.6～4.5；0.2≤x≤0.4。本发明提供了一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石抗菌材料及其制备方法，该材料将青霉素阴离子引入水滑石层间，通过环境中的阴离子与层间青霉素阴离子的交换达到释放青霉素阴离子抗菌剂，达到抗菌目的，并显著提高青霉素分子光热稳定性，有望作为抗菌涂层的填料使用达到抑制微生物污损的功能。
关键词	m3+为al3+、cr3+、fe3+、v3+、co3+、ga3+或ti3+的三价金属离子一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料 m2+/m3+的摩尔比为1.6～4.5 其特征在于：所述水滑石材料化学组成通式为[m2+1?X+m3+X+(Oh)2]X++(C16h17n2o4s??)X+·nh2o 0.2≤x≤0.4。 m2+为mg2+、zn2+、ni2+、fe2+或mn2+的二价金属离子
申请日期	2011-09-23
专利号	CN201110290535.3
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201110290535.3
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.qdio.ac.cn/handle/337002/17543
专题	海洋环境腐蚀与生物污损重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王毅,张盾. 一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用. CN201110290535.3[P]. 2012-06-20.

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